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MPB252010T-4R7M-NA2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MPB252010T-4R7M-NA2 product

MPB252010T-4R7M-NA2

Transformers

LeistungsinduktorSMD2520 Gehäuse

Der MPB252010T-4R7M-NA2 ist ein 4,7uH Mehrschicht-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, optimiert für effiziente DC-DC-Wandler auf begrenztem Bauraum.

Ideal für

  • Kompakte DC-DC-Stromversorgungen
  • Hochdichte Leiterplattendesigns

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 300mA
  • Medizinische oder lebenswichtige Systeme

Vor der Verwendung prüfen

  • Eigenerwärmung unter Last
  • Induktivitätsabfall bei Spitzenstrom

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 uH
Nennstrom
300 mA
Gleichstromwiderstand (RDC)
0,11 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

1810161529_Chilisin-Elec-MPB252010T-4R7M-NA2_C280597.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MPB252010T-4R7M-NA2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen kompakten SMD-Mehrschicht-Leistungsinduktor von Chilisin mit 4,7uH Induktivität im 2520-Gehäuse.