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MPF4N65 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MPF4N65 product

MPF4N65

MOSFETs - Single

Leistungs-MOSFETN-Kanal650VTO-220F

Der MPF4N65 ist ein 650V, 4A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • USV-Systeme
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen thermischen Widerstand erfordern (TO-220F ist isoliert, hat aber einen höheren RthJC als Standard-TO-220).
  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb des optimierten Bereichs des Geräts.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
650V
Id
4A
RDS(on)
2Ω
Gehäuse
TO-220F

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

3d2f82fcfbba8f6850ac18a80f397923_2310241627_Minos-MPF4N65_C2980272.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MPF4N65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MPF4N65 ist ein Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Gate-Ladung zu bieten.