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MPG120N06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MPG120N06 product

MPG120N06

MOSFETs - Single

N-KanalLeistungs-MOSFET60V120A

Der MPG120N06 ist ein 60V, 120A N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen nutzt.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen das TO-220-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJC = 1.05 °C/W)
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
120 A
RDS(ON)
7 mΩ
PD
143 W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MPG120N06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 60V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hohen Strömen optimiert ist und sich durch niedrigen RDS(ON) auszeichnet.