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MPG15N10P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MPG15N10P product

MPG15N10P

MOSFETs - Single

MOSFET100VN-KanalTO-220

Der MPG15N10P ist ein 100V, 15A N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • Netzteile
  • USV
  • Allgemeines Schalten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung oder sehr hohen Schaltfrequenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
15 A
RDS(ON)
80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

4aae36ac7c9e964512c2e26b35f188ef_2308071424_Minos-MPG15N10P_C7429905.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MPG15N10P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Shenzhen Minos Technology, der sich durch niedrigen RDS(ON) und hohe Zelldichte auszeichnet.