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MPT023N10-T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MPT023N10-T product

MPT023N10-T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTOLL-8

Der MPT023N10-T ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TOLL-8-Gehäuse, ideal für BMS- und Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Hochstrom-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch oder begrenztem Platz, bei denen TOLL-8 zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
326 A
Rds(on)
1,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BMSHochstromschaltung

Datenblatt

f55cbbf0c141607deb43f3465b17cde2_2404251354_Minos-MPT023N10-T_C22390008.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MPT023N10-T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für Hochstromanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Strom von 326A.