MS10N10 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | MSKSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

MS10N10 product

Der MS10N10 ist ein 100V, 12A N-Kanal-MOSFET in Trench-DMOS-Technologie, der für effiziente Schaltanwendungen wie Lastschalter und LED-Treiber optimiert ist.

Ideal für

Lastschaltung
LED-Treiber
Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 100mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung für Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 12 A
RDS(on): 115 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

PowerIndustrial

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MS10N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MS10N10 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von MSKSEMI, der Trench-DMOS-Technologie für verbesserte Schaltleistung nutzt.