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MS18N100HGC0 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MS18N100HGC0 product

MS18N100HGC0

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal1000VLeistung

Der MS18N100HGC0 ist ein 1000V, 18A N-Kanal-Planar-MOSFET von MASPOWER im TO-247-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • LED-Stromversorgungen
  • Halbbrücken-Lampenvorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Gate-Ansteuerung mit niedriger Logikspannung erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-247 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
1000 V
Dauer-Drainstrom
18 A
Einschaltwiderstand
0,55 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileLED-Beleuchtung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MS18N100HGC0 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Spannungen mit einer Durchbruchspannung von 1000V und einem Dauerstrom von 18A, optimiert für industrielle Stromversorgungen.