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MS30N100HGC0 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MS30N100HGC0 product

MS30N100HGC0

MOSFETs - Single

MOSFET1000VN-KanalLeistung

Der MS30N100HGC0 ist ein 1000V, 30A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse, der für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte und robuster Avalanche-Festigkeit entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • Industrielle Stromwandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Kühlkörperkompatibilität

Wichtige Specs

VDSS
1000 V
ID
30 A
RDS(on)
0.38 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

68edb244ba6303cec6c1a6df12a2ecef_2301121030_MASPOWER-MS30N100HGC0_C5353716.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MS30N100HGC0 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von MASPOWER mit einer Spannungsfestigkeit von 1000V und einem Strom von 30A, der für Hochleistungsschaltanwendungen geeignet ist.