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MS4N1350B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MS4N1350B product

MS4N1350B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal1500VLeistung

Der MS4N1350B ist ein 1500V, 4A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3PB-Gehäuse, optimiert für Hochspannungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsschaltungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung und thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

VDS
1500 V
ID
4 A
RDS(on)
9 Ω
Gehäuse
TO-3PB

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

620d48e44063061d764fcb7af9b0c82c_2208230930_MASPOWER-MS4N1350B_C5139254.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MS4N1350B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Spannungen, ausgelegt für 1500V und 4A.