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MS8N120FT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MS8N120FT product

MS8N120FT

MOSFETs - Single

MOSFETLeistungstransistor1200V

Der MS8N120FT ist ein 1200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von MASPOWER, der für industrielle Anwendungen wie USV-Systeme und PV-Wechselrichter entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schweißgeräte
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Photovoltaik-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerem RDS(on) effizienter sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse (0,5°C/W für TO-220).
  • Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
8 A
RDS(on)
2,9 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

6a4a34df69a875bce6d48885ff3d752e_2208230930_MASPOWER-MS8N120FT_C5139252.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MS8N120FT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V, 8A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand optimiert ist.