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MSK3419DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MSK3419DF product

MSK3419DF

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der MSK3419DF ist ein P-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • High-Side-Schaltung
  • DC/DC-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-32 A
RDS(on)
12 mΩ (max)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

a7ea56160c8059bd199bf575dddab9cf_2110131730_MSKSEMI-MSK3419DF_C2902915.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MSK3419DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.