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MT3S111TU,LF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MT3S111TU,LF product

MT3S111TU,LF

Component

HF-TransistorSiGeNPNRauscharm

Der MT3S111TU ist ein leistungsstarker SiGe-NPN-HF-Transistor, der für rauscharme Verstärkeranwendungen in VHF/UHF-Bändern optimiert ist.

Ideal für

  • VHF/UHF-HF-Verstärker
  • Rauscharme Eingangsstufen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Umgebungen ohne ESD-Schutz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement auf der Keramikplatine
  • ESD-Handhabungsprotokolle

Wichtige Specs

Transitfrequenz
10 GHz
Rauschzahl
0,85 dB
Verstärkung
12,5 dB

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

HF-Verstärkung

Datenblatt

bc4a4b19875cd2d9ba9795cd27a7800b_2209291730_TOSHIBA-MT3S111TU-LF-T_C5174755.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MT3S111TU,LF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-Germanium (SiGe) NPN-Transistor von Toshiba, der speziell für rauscharme und verzerrungsarme HF-Verstärkung in VHF- und UHF-Frequenzbereichen entwickelt wurde.