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MTD3055V-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MTD3055V-HXY product

MTD3055V-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDPAK

Der MTD3055V ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, geeignet für allgemeine Schaltanwendungen, Batterieschutz und Lastmanagement.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder extrem hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

59e257517cb9f632443994baca012159_2404231719_HXY-MOSFET-MTD3055V-HXY_C22366906.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MTD3055V-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MTD3055V ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für 60V und 20A ausgelegt ist.