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MUN5331DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MUN5331DW1T1G product

MUN5331DW1T1G

Pre-Biased

VorgespanntKomplementärSOT-363

Der MUN5331DW1T1G ist ein komplementäres NPN/PNP-Transistorpaar mit integrierten 2,2 kΩ-Bias-Widerständen, das speziell zur Platzersparnis in Schalt- und Schnittstellenanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die 250mW Verlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Thermische Derating-Anforderungen

Wichtige Specs

Widerstandsverhältnis (R1/R2)
1,0
VCEO
50 V
IC
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeine Schaltanwendungen

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MUN5331DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen digitalen Transistorbaustein, der einen NPN- und einen PNP-Transistor mit jeweils einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk (R1=2,2kΩ, R2=2,2kΩ) in einem SOT-363-Gehäuse vereint.