Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.
NCE0106R-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vdss
- 100 V
- Id
- 4 A
- Rds(on)
- 120 mΩ (typ)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergiemanagementDC/DC-Wandlung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für NCE0106R-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
