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NCE01P18K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE01P18K product

NCE01P18K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET100VTO-252

Der NCE01P18K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -100V und -18A im TO-252-Gehäuse, optimiert für das Energiemanagement in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Notebook-Energiemanagement
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder Spannungen unter -100V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-18 A
RDS(on)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Geräte

Datenblatt

7556b0acaeac1f1d436964a8dcd7e3df_1811151653_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE01P18K_C115990.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE01P18K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.