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NCE2007N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE2007N product

NCE2007N

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-KanalSOT23-6L

Der NCE2007N ist ein dualer N-Kanal-MOSFET-Array im SOT23-6L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Kompakte Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 1,5 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6,5 A
RDS(ON)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE2007N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.