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NCE3020Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE3020Q product

NCE3020Q

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V20ALeistung

Der NCE3020Q ist ein 30V, 20A N-Kanal-MOSFET im DFN3.3X3.3-8L-Gehäuse, optimiert für niedrigen RDS(ON) und Hochfrequenz-Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine VDS von mehr als 30V oder kontinuierliche Ströme von über 20A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
20 A
RDS(ON)
<8 mΩ
Gehäuse
DFN3.3X3.3-8L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

fe61ccdda7f35d83f01c981b8852271f_2011201440_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE3020Q_C918240.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE3020Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE3020Q ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen entwickelt wurde.