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NCE3025Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE3025Q product

NCE3025Q

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der NCE3025Q ist ein 30V, 25A N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN3.3X3.3-8L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • USV
  • Hochfrequenz-Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Drain-Source-Spannung über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung für 25W Verlustleistung
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
25 A
RDS(ON)
10 mΩ (max)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

a64a6d393c269cab950d98ccd2c64b29_2003091237_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE3025Q_C492744.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE3025Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE3025Q ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) ausgelegt ist.