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NCE30D0808J KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30D0808J product

NCE30D0808J

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal30V

Der NCE30D0808J ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im kompakten DFNWB2X2-6L-Gehäuse, optimiert für 30V-Stromversorgungs- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Kompaktes Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf FR4-Platinen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
7,7 A
RDS(on)
<25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementAllgemeines Schalten

Datenblatt

e20c3bab8a85a4e3ad3e73d8c888addb_2103121415_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30D0808J_C2686534.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30D0808J laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten und Energiemanagement entwickelt wurde.