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NCE30D2519K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30D2519K product

NCE30D2519K

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärH-Brücke

Der NCE30D2519K ist ein komplementäres N- und P-Kanal-MOSFET-Paar im TO-252-4L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen wie H-Brücken.

Ideal für

  • H-Brücken-Motortreiber
  • DC-AC-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Verlustleistung von über 21W

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
25A / -19A
RDS(on)
12mΩ / 35mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

582eec630418f7217432abcccfde8832_1809131526_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30D2519K_C216790.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30D2519K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET-Paar in einem einzigen TO-252-4L-Gehäuse, das auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.