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NCE30H10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30H10 product

NCE30H10

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung30V

Der NCE30H10 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET für Schaltnetzteile und USV-Anwendungen mit 30V/100A im TO-220-3L-Gehäuse.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(on)
5,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

75807ca92f4916bef7f51edf29beb9c2_1810010230_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30H10_C190854.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30H10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE30H10 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Stromkapazität zu bieten.