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NCE30H10AK KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30H10AK product

NCE30H10AK

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V100A

Der NCE30H10AK ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Ströme, optimiert für Schaltnetzteile und USV-Anwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand.

Ideal für

  • Stromversorgungen
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringem Platzbedarf, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(ON)
3.2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30H10AK laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.