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NCE30H10G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30H10G product

NCE30H10G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der NCE30H10G ist ein leistungsstarker 30V, 100A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromwandlung und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V VDS

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(ON)
1,9 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Pb-free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

548c127c9f9623079ec37ec18ba44019_2206211401_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30H10G_C502869.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30H10G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement entwickelt wurde und sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Strombelastbarkeit auszeichnet.