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NCE30H12 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30H12 product

NCE30H12

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung30V

Der NCE30H12 ist ein leistungsstarker 30V, 120A N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
120 A
RDS(on)
3,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

3b9bda2067f163ce70fee15a1a499a0a_2004201605_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30H12_C502785.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30H12 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE30H12 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Strombelastbarkeit ausgelegt ist.