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NCE30ND09S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30ND09S product

NCE30ND09S

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal30VSOP-8

Der NCE30ND09S ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 30V oder 9A Dauerstrom erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
9 A
RDS(ON)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

c90cd4f74da2aaae091c7a69b2a893b4_2004201207_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30ND09S_C502842.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30ND09S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.