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NCE30NP1812K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30NP1812K product

NCE30NP1812K

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärTrench-Technologie

Der NCE30NP1812K ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im TO-252-4L-Gehäuse, optimiert für High-Side-Schaltungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • Pegelverschobene High-Side-Schalter
  • Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 18A/12A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
±30V
ID
18A / -12A
RDS(ON)
41mΩ / 58mΩ
Gehäuse
TO-252-4L

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

bb1fc8c14062d45c051fcb9ebddf4ec5_2106070135_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE30NP1812K_C2686535.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30NP1812K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres MOSFET-Bauteil, das sowohl einen N-Kanal- als auch einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET enthält, hergestellt von NCE Power mittels Trench-Technologie.