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NCE30P50G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE30P50G product

NCE30P50G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistung30V

Der NCE30P50G ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Batterie- und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Hochstrom-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs ohne thermische Entlastung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsfähigkeit der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(ON)
< 7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE30P50G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für -30V und -50A ausgelegt ist.