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NCE40ND0812S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE40ND0812S product

NCE40ND0812S

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal40V

Der NCE40ND0812S ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Leistungsschaltanwendungen und Hochfrequenzschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die die thermischen Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID (Max)
12 A
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

f155ea06bded442a92019f5f97aac1fb_2009111637_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE40ND0812S_C502820.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE40ND0812S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.