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NCE55P15K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE55P15K product

NCE55P15K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der NCE55P15K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -55V und -15A im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Leistungsschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Strom- oder Spannungswerte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-55 V
ID
-15 A
RDS(ON)
75 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungDC-DC-Wandler

Datenblatt

5f7a2404808e587c7cdc09a4b71a2912_1811141122_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE55P15K_C130102.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE55P15K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung nutzt.