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NCE55P30K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE55P30K product

NCE55P30K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistungsschaltung

Der NCE55P30K ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für Schaltnetzteile und USV-Anwendungen, der -55V/30A in einem TO-252-2L-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-55 V
ID
-30 A
RDS(on)
<40 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

689309d07a5d5dd8fc04c46373cc5b74_1809291521_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE55P30K_C130103.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE55P30K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen entwickelt wurde.