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NCE609 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE609 product

NCE609

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärLeistung

Der NCE609 ist ein komplementäres N- und P-Kanal-MOSFET-Paar im TO-252-4L-Gehäuse, ideal für High-Side-Schaltungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • High-Side-Schaltungen
  • Komplementäre Leistungsstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit höheren Strom- oder Spannungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
21A / -14A
RDS(ON)
19mΩ / 35mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

5f4e837975c766df9690bb3cab6b9118_2004201207_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE609_C502828.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE609 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE609 ist ein komplementärer N- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.