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NCE60ND18G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE60ND18G product

NCE60ND18G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistungsschaltung

Der NCE60ND18G ist ein 60V, 18A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 60V Drain-Source-Spannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
18 A
RDS(on)
< 35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungIndustrie

Datenblatt

c38edad12bf7db9e26480eb6fa41d53c_2208111500_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE60ND18G_C2686547.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE60ND18G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, ausgelegt für 60V und 18A.