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NCE60P12K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE60P12K product

NCE60P12K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTrench

Der NCE60P12K ist ein -60V, -12A P-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, ideal für High-Side-Schalter und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • High-Side-Schaltung
  • DC/DC-Leistungswandlung
  • LCD-Display-Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchbruchspannung von > -60V erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-12 A
RDS(ON)
100 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrielle Wandler

Datenblatt

28d91f656a3fd638d4f6e32e1baa6c89_1912111437_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE60P12K_C326372.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE60P12K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NCE60P12K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand nutzt.