ProjektePreiseInsights

NCE60P25K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE60P25K product

NCE60P25K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60V25ATO-252

Der NCE60P25K ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen mit -60V/25A im TO-252-Gehäuse.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Vollbrücken-Motortreiber
  • High-Side-Schalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter -2V
  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als D-PAK erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-25 A
RDS(ON)
45 mΩ
Qg
46 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

71f44a3a7df3e0687912e8918f9ee4e0_1810241809_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE60P25K_C130105.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE60P25K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Hochstromanwendungen optimiert ist.