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NCE65T180 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE65T180 product

NCE65T180

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VLeistung

Der NCE65T180 ist ein 650V, 21A N-Kanal Super-Junction-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungen in SMPS- und PFC-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-batteriebetriebene Anwendungen, bei denen der RDS(on) bei niedrigem VGS kritisch ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für die spezifische Gehäusevariante (TO-220, TO-220F oder TO-263).

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
21 A
RDS(on)
180 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

9c2d6a10b6583b2af5f6302a4c595575_2004201607_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE65T180_C502902.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE65T180 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET für industrielle Hochspannungsanwendungen.