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NCE65T1K2K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE65T1K2K product

NCE65T1K2K

MOSFETs - Single

Super JunctionMOSFET650V

Der NCE65T1K2K ist ein 650V, 4A N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • AC-DC-Wandlung
  • Industrielle Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
4 A
RDS(on)
950 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenIndustrie

Datenblatt

0e42792889086dd720bf060e6780eb9c_1811041602_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE65T1K2K_C181924.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE65T1K2K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET, der für Hochspannungsschaltanwendungen mit fortschrittlicher Trench-Gate-Technologie entwickelt wurde.