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NCE65T900F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE65T900F product

NCE65T900F

MOSFETs - Single

MOSFETSuper-Junction650VLeistung

Der NCE65T900F ist ein 650V, 5A N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromversorgungslösungen.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 5A erfordern.
  • Designs, bei denen ein nicht isoliertes Gehäuse gegenüber TO-220F bevorzugt wird.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC) von 4,3°C/W für TO-220F.
  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerung.

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
5 A
RDS(on)
750 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

fae73477378193637570b78ef27824f1_2005182109_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE65T900F_C502916.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE65T900F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET für Hochspannungsanwendungen, der sich durch geringe Leitungsverluste und niedrige Gate-Ladung auszeichnet.