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NCE65TF099F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE65TF099F product

NCE65TF099F

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VLeistung

Der NCE65TF099F ist ein 650V, 38A N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • Stromwandlung
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Wärmewiderstand erfordern (TO-220F hat einen höheren RthJC als TO-220)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
38 A
RDS(on)
89 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE65TF099F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET III mit einer Drain-Source-Spannung von 650V und einem Dauerstrom von 38A.