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NCE65TF180D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE65TF180D product

NCE65TF180D

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VLeistung

Der NCE65TF180D ist ein 650V, 21A N-Kanal Super-Junction-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen wie PFC und SMPS optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Spannungen oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern, die außerhalb des optimierten Bereichs liegen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Anforderungen an die Kühlung für das TO-263-Gehäuse.

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
21 A
RDS(on)
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

6abe7de209167814c837835fc4a0d60f_2304140030_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE65TF180D_C502886.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE65TF180D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Anwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 650V und einem Dauerstrom von 21A.