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NCE6602N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE6602N product

NCE6602N

MOSFETs - Arrays

MOSFET-ArrayZweikanalSOT23-6L

Der NCE6602N ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array im SOT23-6L-Gehäuse, das für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Kompakte Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,2 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
3,5A / -2,7A
Gehäuse
SOT23-6L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzSchaltanwendungen

Datenblatt

afd13a3a98f1552ba96aa24fd76359eb_2201191200_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE6602N_C2686532.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE6602N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET-Array.