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NCE82H110D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE82H110D product

NCE82H110D

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET82V110A

Der NCE82H110D ist ein 82V, 110A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und USV-Anwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS
82 V
ID
110 A
RDS(on)
7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

f79b3b93cfe37babfe8e319b14eb1241_2004201207_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE82H110D_C502763.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE82H110D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(on) und eine hohe ESD-Festigkeit zu erreichen.