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NCE82H160 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCE82H160 product

NCE82H160

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung82V

Der NCE82H160 ist ein leistungsstarker 82V, 160A N-Kanal-MOSFET im TO-220-3L-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • Netzteile
  • USV
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Treiber-Strom

Wichtige Specs

VDS
82 V
ID
160 A
RDS(ON)
3.8 mΩ (Typ)
Gehäuse
TO-220-3L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

856221a52457d37cf3226c6e697ab45a_2207251801_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCE82H160_C5116526.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCE82H160 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für 82V und 160A spezifiziert ist.