ProjektePreiseInsights

NCEP023N10T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCEP023N10T product

NCEP023N10T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der NCEP023N10T ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal Super Trench II MOSFET im TO-247 Gehäuse, optimiert für Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch oder begrenztem Platz, bei denen das TO-247-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
280 A
RDS(on)
1,85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

6c9a3328861816061d3a1d3097c0678b_2201121130_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCEP023N10T_C2686685.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCEP023N10T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Super Trench II-Technologie, der für effizientes Hochfrequenzschalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.