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NCEP026N10T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCEP026N10T product

NCEP026N10T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der NCEP026N10T ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal Super Trench II MOSFET im TO-247 Gehäuse, optimiert für hochfrequente Stromwandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
230 A
RDS(on)
2,15 mΩ
Gehäuse
TO-247

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

65307dd9f4c482e58334112c581f1b31_datasheet.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCEP026N10T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Super Trench II-Technologie, ausgelegt für 100V und 230A.