ProjektePreiseInsights

NCEP40P80K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NCEP40P80K product

NCEP40P80K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSuper Trench40V80A

Der NCEP40P80K ist ein leistungsstarker P-Kanal Super-Trench-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement in DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichtungsschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Leistungswandlung
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-80 A
RDS(on)
5,6 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

44b83ecc2904e7b4aa9ebb8f3a0c9b69_2012021807_Wuxi-NCE-Power-Semiconductor-NCEP40P80K_C502959.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NCEP40P80K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal Super-Trench-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -40V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -80A, untergebracht in einem TO-252-2L-Gehäuse.