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NDC7003P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NDC7003P product

NDC7003P

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual P-KanalPowerTrench

Der NDC7003P ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im kompakten SuperSOT-6-Gehäuse, optimiert für High-Side-Schaltanwendungen bei niedrigen Spannungen.

Ideal für

  • High-Side-Schalter
  • Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 0,34A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung des SuperSOT-6-Gehäuses

Wichtige Specs

Vdss
-60 V
Id
-0,34 A
Rds(on)
5 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NDC7003P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für effizientes Schalten bei niedrigen Spannungen nutzt.