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NDS332P-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NDS332P-HXY product

NDS332P-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der NDS332P ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2,3 A
RDS(ON)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

998b24cb3dd0055a6215fa434529b02c_2404231719_HXY-MOSFET-NDS332P-HXY_C22367180.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NDS332P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NDS332P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um eine niedrige Gate-Ladung und einen geringen Einschaltwiderstand in einem kompakten SOT-23-Gehäuse zu bieten.