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NDS355N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NDS355N-HXY product

NDS355N-HXY

MOSFETs

MOSFETN-KanalSOT-2330V

Der NDS355N ist ein 30V, 4A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
4 A
RDS(on)
29 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

2f4d3d2c1a10816d9a281022348b91c2_2403261743_HXY-MOSFET-NDS355N-HXY_C22367356.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NDS355N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.