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NDS356AP-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NDS356AP-HXY product

NDS356AP-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2330V

Der NDS356AP ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschalt- und Energiemanagementanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Strombelastbarkeit von mehr als 4A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(on)
56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

d6ad32388b4ecfaf816f33109e2af3bb_2403261742_HXY-MOSFET-NDS356AP-HXY_C22367267.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NDS356AP-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen optimiert ist.